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金属前介质（PMD）层的作用是在物理和电气上隔离前段工艺（FEOL）场效应晶体管与即将进行的中段工艺（MOL）接触结构 [T1]。前序的 PMD 3 CMP 步骤实现了必要的全局平坦化，以满足后续接触孔光刻步骤对于焦深（DOF）的严格要求（工程实践）。这一特定的 CMP 后清洗步骤紧接平坦化工艺之后，旨在消除氧化物表面残留的抛光液磨粒、脱落的抛光垫碎屑以及化学副产物 [P2]。