PMD 3 为后续CMP步骤提供可被整平的介质余量,并与PMD 1和PMD 2共同构成连续绝缘体 [(Engineering Practice)]。
PMD 3 是同一PMD膜栈的顶部分段,为下一步CMP提供可被整平的介质余量。它与PMD 1/2共同构成一个连续绝缘体。
从器件结构看,它们可以合称一次“PMD膜栈形成”;但源流程把底部覆盖、主体填充和CMP前顶部分段分别计量,且PMD 3紧接CMP。保留分段能让图形准确显示每一时刻新增了哪部分,也便于追踪覆盖、填充与平坦化误差。现有资料只证明它们是分段操作,不足以断言三段一定使用不同配方。
主要风险来自分段之间的连…
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