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CMP把三段沉积形成的PMD膜栈整平成统一顶面，为后续CN0接触孔光刻提供稳定的表面基准。流程把整平后保留的顶部部分继续记作PMD 3。

为什么保留三步

从器件结构看，它们可以合称一次“PMD膜栈形成”；但源流程把底部覆盖、主体填充和CMP前顶部分段分别计量，且PMD 3紧接CMP。保留分段能让图形准确显示每一时刻新增了哪部分，也便于追踪覆盖、填充与平坦化误差。现有资料只证明它们是分段操作，不足以断言三段一定使用不同配方。