40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

在掺杂激活之后，集成工艺流程进入中段工艺（MOL）阶段，即沉积接触刻蚀停止层（CESL）[A1]。CESL 具有双重作用：它在激进的接触孔刻蚀过程中作为高选择性阻挡层保护下方的有源区，同时在晶体管沟道中引入机械应力以提高载流子迁移率 [P1]。在 40nm CMOS 图像传感器工艺流程中，通常先沉积 CESL 1 以覆盖特定器件类型（例如 NMOS），随后的 CESL 2 步骤则为 PMOS 器件提供互补的应力类型 [P1]。