RIE etch ILD 3-2 Etch - 40nm 工艺步骤

通常选择基于氟碳化合物的气体化学成分进行氧化物 ILD 刻蚀，因为它们通过连续的聚合物钝化提供了优异的选择比和对刻蚀轮廓的控制 [P4]。

40nm BSI CMOS 图像传感器 BONDPAD 模块中的“RIE etch ILD 3-2 Etch”步骤是一个关键工艺，用于露出下层的金属焊盘以便进行外部电气连接 [P3]。在“ILD 3-1 Etch”初步去除上层介质膜后，该特定步骤完成了对剩余厚层层间介质（ILD）的穿透，以精确停留在 Bond Pad 阻挡层上 [P3]。