40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

牺牲层下层片上透镜（LOCL）刻蚀步骤用于将回流后的牺牲聚合物的三维半球形轮廓转移到下方的永久光学层中 [P1]。在通过热回流形成透镜形状并经过最终 UV/Hard bake 完成结构稳定后，采用各向异性干法刻蚀将此形貌刻入下层片上透镜（LOCL）的中间材料中 [P1]。该步骤与后续的标准下层片上透镜刻蚀步骤截然不同，因为它依赖于有机牺牲层与底层光学薄膜之间经过精密调控的 1:1 刻蚀速率选择比，类似于多层硬掩模应用，充当一种直接的三维图形转移机制 [P1]。