40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

在40nm BSI CMOS图像传感器的后段工艺（BEOL）流程中，这一特定的光刻前清洗步骤充当了金属0（M0）钨（W）沉积与后续金属0光刻模块之间的关键桥梁 [A2]。由于晶圆表面完全被新沉积的钨毯层覆盖，该步骤与通常用于制备氧化物或低k介质表面的其他光刻前清洗工艺有着本质区别 [A2]。其主要目标是去除金属表面的空气分子污染物（AMCs）、痕量有机残留物和外来纳米颗粒，以确保后续抗反射涂层（ARC）和光刻胶层的均匀润湿及无缺陷附着 [A2]。