40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

40nm BSI CMOS 图像传感器 MET0 模块中的 W 刻蚀步骤紧随光刻图案化工艺之后，负责定义第一层局部互连结构 [A1]。由于具有优异的台阶覆盖率和抗电迁移能力，钨在集成电路中被广泛用作金属互连材料和扩散阻挡层 [A1]。在此特定工艺流程中，晶圆上已沉积了一层毯式 CVD W 薄膜，且 Metal 0 光刻胶掩模定义了所需的电路布局 [P1]。