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此步骤紧接接触层 W CMP 和 TiN/Ti CMP 之后进行，旨在为 Metal 0 (MET0) W 沉积做好表面准备 [A1]。其主要目的是去除在钨塞和阻挡金属平坦化过程中产生的残留抛光液磨料、抛光垫碎屑以及金属污染物 [P1]。如果这些污染物未能得到彻底清除，它们可能成为漏电路径，或阻碍后续 MET0 层形成良好的欧姆接触 [P1]。