40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

在40nm BSI CMOS图像传感器工艺流程中，紧接MET0钨（W）刻蚀后的灰化（Ashing）与剥离/清洗（Strip/Clean）步骤对于彻底去除图案化光刻胶、硬掩模残留物以及高活性刻蚀副产物至关重要 [A1]。与主要针对铜双大马士革结构和多孔低k介质的后续灰化与剥离/清洗步骤不同 [P4]，此MET0作业必须处理密集、细间距的钨金属线以及TiN或WN等阻挡层材料 （工程实践）。