PMD 4 - Deposition - 40nm 工艺步骤

PMD 4 - 沉积封装下方的局部互连，并为后续的清洗和接触孔开口步骤提供坚固的介质基底 [A1]。

在前序工艺流程中，已完成了 Metal 0 的图案化、刻蚀和清洗工作 （工程实践）。PMD 4 - 沉积步骤旨在封装这些下方的局部互连，并为随后的 Pre Litho Cleaning（光刻前清洗）和 Metal 1/Contact Opening（金属 1/接触孔开口）步骤提供坚固的结构性介质基底 [A1]。基于钨（Tungsten）的中段工艺（MOL）局部互连对下游工艺污染高度敏感，因此高质量的介质封装对于维持其电气完整性至关重要 [P1]。