氧化剂与残留的有机污染物反应形成可溶性络合物,从而将其从衬底上完全去除 [P1]。
在沉积 PMD 4 层之后,晶圆表面通常会呈现出复杂的沉积后形貌变化,这在很大程度上取决于底层的图案几何结构 [P3]。此光刻前清洗(Pre Litho Cleaning)步骤充当了中段工艺(MOL)介质沉积与后续金属 1 栅极及源/漏极(S/D)接触孔开口光刻模块之间的关键桥梁 [P4]。与在裸硅或薄衬垫氧化层上进行的前期光刻前清洗不同,这一特定步骤必须对厚体氧化层表面进行预处理,以使其能够成功接收多层可图案化材料,例如有机平坦化层(OPL)和抗反射涂层(ARC)[A3]。
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