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MET5互连层采用Cu，旨在相比传统的铝体系显著降低RC延迟 [P2]。然而，Cu会迅速扩散到相邻的SiO₂或low-k介质中，这可能导致深能级陷阱并引发灾难性的器件故障 [P2]。因此，在后续的Cu籽晶层沉积之前，必须采用阻挡层和衬垫层系统 [P2]。以Ta为基的系统（通常为TaN/Ta双层）被沉积到经过刻蚀和清洗的MET5沟槽和通孔中 [P3]。TaN作为防止Cu扩散的主要阻挡层，而Ta层则为随后的Cu籽晶层提供了必要的附着力和润湿性 [P3]。