40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

在 Metal 4 铜层沉积之后，此 Cu CMP 步骤对于去除大面积铜多余层以定义孤立互连线至关重要 [P1]。其主要目标是平坦化晶圆表面，并可靠地停止在底层的 Ta 基衬垫上，从而为后续的衬垫 CMP 步骤做好结构准备 [P1]。与可能定义更细间距下层金属布线的早期铜 CMP 步骤（如步骤 #190）不同，40nm CIS 工艺流程中的这一特定上层 BEOL 步骤必须适应与配电和光学传感器阵列屏蔽相关的不同图案密度 [P1]。