40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

在后段工艺（BEOL）互连中，在沉积 Ta 基扩散阻挡层之后，需要一层连续且导电的铜种子层，以实现后续本体铜的电化学沉积（ECD）[P1]。在 40nm BSI CMOS 图像传感器工艺的 MET5 层级中，该 Cu 种子层作为双大马士革结构的关键催化及导电表面 [A1]。若缺乏这种高导电性层，电镀电流将无法在晶圆上均匀分布，从而无法实现高深宽比通孔和沟槽的正确自底向上填充 [P2]。