40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

此步骤在层间介电层（ILD）中形成 Metal 5 沟槽，作为铜双大马士革集成方案的一部分 [P2]。在完成 Metal 5 光刻后，该基于氟碳化合物的等离子体刻蚀工艺将沟槽图案转移到氧化物或低 k 介电层中 [P1]。与主要用于清除硅上方薄保形层的 FEOL 衬垫氧化物刻蚀不同，此 BEOL 步骤必须精确定义高深宽比的互连沟槽，以确保后续基于 Ta 的衬层和 Cu 种子层沉积的可靠性 [P2]。