ILD 4-2 Oxide Etch - 40nm 工艺步骤
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ILD 4-2 Oxide Etch
40nm BSI CMOS Image Sensor
40nm | 417 步骤
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流程概述
晶圆准备
11
正面深沟槽隔离
13
浅槽隔离 (STI)
23
阱区注入
5
光电二极管
3
阱区注入
9
NMOS 晶体管
4
双栅氧化
10
栅极
6
NMOS 晶体管
3
侧墙
4
源漏极
6
光电二极管
3
阱区注入
4
预金属介质 (PMD)
7
接触孔
13
金属 0 层
6
预金属介质 (PMD)
2
接触孔
16
预金属介质 (PMD)
2
金属 1 层
17
金属 2 层
16
金属 3 层
16
金属 4 层
16
金属 5 层
16
216
METAL 5 TRENCH - Photo
217
ILD 4-2 Oxide Etch
218
Ashing & Strip/Clean
219
Ta-based liner deposition
220
Cu Seed deposition
221
Metal 4 Cu deposition
222
Cu CMP
223
Ta-based liner CMP
224
Post CMP Cleaning
225
ILD 5-1 Deposition
226
ILD 5-2 Deposition
227
Pre Litho Cleaning
228
VIA 5 - Photo
229
ILD 5-2 Oxide Etch
230
ILD 5-1 SiCN Etch
231
Ashing & Strip/Clean
金属 6 层
3
金属 5 层
1
金属 6 层
9
焊盘
18
金属 6 层
5
直接键合互连
18
焊盘
6
晶圆减薄
6
背面钝化
12
衬底接触
8
遮光栅格
21
彩色滤光片
7
遮光栅格
22
彩色滤光片
8
微透镜
6
焊盘
34
晶圆准备
2
ILD 4-2 Oxide Etch
步骤 217
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