40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

在40nm BSI CMOS图像传感器的制造中，牺牲性下层OCL回流步骤对于定义下层微透镜阵列的三维光学轮廓至关重要 [P1]。尽管之前的涂胶、曝光和显影步骤将牺牲性光刻胶的横向足迹定义为离散的垂直圆柱体，但此回流步骤通过物理方式将其重塑为连续的凸透镜 [P1]。这种转换对于制备精确的几何轮廓是绝对必要的，以便在随后的干法刻蚀步骤中将其按比例转移到下方的永久性下层OCL材料中 [P1]。通过将二维图案定义与三维形状生成解耦，该工艺有效地规避了与灰度光刻相关的高成本和制造复杂性 [P1]。