40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

在 纳米尺度 背照式 (BSI) CMOS 图像传感器制造中，光刻前清洗 (Pre Litho Cleaning) 步骤紧随下层 OCL (Optical Clear Layer) 平坦化层沉积之后，为牺牲性下层 OCL 的光刻工艺序列做好表面准备 [A2]。现代光刻工艺流程要求进行严格的晶圆准备和清洗，以确保无缺陷的图形转移 [P1]。该清洗步骤与流程中先前光刻前清洗的区别在于，其下方的基底是特殊的光学平坦化层，而非传统的硅、氧化物或金属互连层 [A3]。