40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

在 纳米尺度 背照式（BSI）CMOS 图像传感器中，该步骤旨在形成一个临时形貌模板，最终将定义下层片上透镜（LOCL）的曲率（工程实践）。该工艺位于下层 OCL 平坦化层沉积和光刻前清洗之后，通过涂胶、曝光和显影，将感光有机聚合物加工成离散的几何块（通常为圆柱体）[P1]。这些结构为后续的牺牲性下层 OCL 回流做好了准备，届时表面张力将把它们重塑为球形透镜轮廓（工程实践）。