40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

40nm BSI CMOS图像传感器工艺流程中的灰化（Ashing）步骤紧随牺牲层下部有机平坦化层（Lower OCL）刻蚀之后（工程实践）。在先进的图像传感器制造中，牺牲性有机层被用于平坦化深形貌并促进受控的刻蚀回缩工艺 [P3]。一旦结构转移完成，彻底去除任何残留的牺牲聚合物、光刻胶以及刻蚀诱导产生的氟碳残留物至关重要 [P4]。灰化提供了必要的、高选择性的化学去除手段，以剥离这些基于碳氢化合物的材料 [T1]。