UV 曝光有效地降低了交联所需的活化能,在不过度加热的情况下改变了分子结构,从而改变了材料的溶解度和耐化学性 [A3]。
最终 UV/Hard bake(紫外/硬烘烤)步骤紧接在牺牲性下层有机平坦化层(OCL)回流工艺之后,并位于牺牲性下层 OCL 刻蚀工艺之前 [P4]。尽管工艺流程中较早的硬烘烤步骤主要用于驱除溶剂并改善基本附着力,但该特定步骤利用紫外(UV)辐射和热能,将重塑后的聚合物轮廓永久固定下来 [T1]。之前的回流工艺利用热能使聚合物流动并形成特定的曲率或平坦化形貌,这对于 CMOS 图像传感器光学结构的设计至关重要 [A2]。
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