40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

在 40nm BSI CIS 工艺流程中，W CMP 和 Optical Pad 2 Deposition 步骤完成后，基底通常会出现局部的形貌差异 [P1]。下层 OCL（片上透镜）平坦化层沉积步骤的严谨设计旨在消除这些纳米级的形貌差异，并为后续的牺牲透镜光刻工艺提供一个光学平坦的基准面 [P1]。这一目标使其与 Oxide Grid Seal Layer Deposition 等前序步骤有着本质区别，后者是对结构进行共形封装以提供物理钝化，而非实现全局平坦化 [P1]。