必须仔细优化湿法清洗化学工艺——通常采用高选择性有机溶剂或改进的稀释清洗液——以确保在不刻蚀高掺杂结的前提下实现残留物的彻底清除 [P4]。
该特定的灰化与剥离/清洗步骤紧随共享像素架构中的中间 N 型浮空扩散区 (NFD) 离子注入之后 [A3]。在之前的注入过程中，阻挡传输栅和光电二极管区域的光刻胶 (PR) 层会吸收高能 N 型掺杂剂，将其表层转化为一种高度交联且碳化的硬壳，即高剂量离子注入光刻胶 (HDI-PR) [P1]。在随后的 P-Pinning 光刻步骤之前，必须彻底清除这种硬化掩模，以确保精确的掩模对准并避免引入阻挡缺陷 [P1]。
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