40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

该工艺步骤引入n型掺杂剂，以形成位于共享像素架构中相邻传输栅（T1和T2）之间的共享浮动扩散（FD）节点 [P1]。在CMOS图像传感器中，FD作为主要的电荷-电压转换节点，接收从钉扎光电二极管（pinned photodiodes）传输而来的光电子 [P3]。与标准的逻辑NMOS源极/漏极（S/D）注入分开执行专门的FD注入，可以实现对FD掺杂分布的独立优化 [T2]。