40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

“N FD IIP - Photo”步骤是一个关键的光刻掩膜工艺，旨在为CMOS图像传感器中N型离子注入前的浮空扩散（FD）区域进行选择性曝光 [P3]。该特定光刻步骤位于常规NMOS源/漏极和主要FD注入之后，它定义了一个局部注入窗口——通常位于共享传输栅（T1和T2）之间——以调整最终的FD掺杂分布 [P1]。其主要目标是形成一个图案化的光刻胶阻挡层，严格防止入射离子进入钉扎光电二极管（Pinned Photodiode）及其他敏感像素区域，同时仅允许掺杂剂进入指定的FD区域 [T1]。