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在进行高剂量 NMOS 源极/漏极 (S/D) 和浮空扩散区 (FD) 离子注入后，晶圆上覆盖着一层已吸收了大量高能 n 型掺杂剂的光刻胶掩模 [T1]。在进行后续的 N 型 FD 调节注入之前，必须采用专门的灰化和剥离/清洗步骤来去除这种高剂量离子注入光刻胶 (HDI-PR) [P2]。与标准光刻返工或刻蚀后灰化不同，此处的光刻胶已因离子轰击发生了根本性改变，离子轰击断裂了 C-H 和 C-C 键，形成了一层高度交联且富含碳的硬壳 [P2]。