40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

在先进堆叠式CMOS图像传感器（CIS）的制造中，图像信号处理器（ISP）晶圆必须通过Cu-介质混合键合工艺与传感晶圆紧密结合 [P3]。在CMP后清洗之后，ISP晶圆的RF表面活化是紧接在晶圆对准和热压键合之前的关键准备步骤 [P1]。此步骤旨在专门改变ISP逻辑晶圆上顶部介质和裸露Cu焊盘的表面化学性质 [P1]。正如之前的工艺步骤活化了CIS晶圆一样，活化ISP晶圆可确保两个配合表面都具有对称的高表面能，这是在不使用中间粘合剂的情况下实现自发室温直接键合的绝对前提 [A1]。