40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

在完成 RF 表面活化后，CIS 和 ISP 晶圆表面具有高密度的悬挂键和较高的表面能状态 [P3]。在这些高反应性表面进行物理接触之前，必须在 CIS/ISP 晶圆键合对准（Wafer Bond Align）步骤中进行精确对准 [A2]。与之前的晶圆键合配对步骤不同（该步骤仅处理将特定 CIS 晶圆分配给相应 ISP 晶圆的逻辑工作），此对准步骤决定了两个衬底之间精确的空间对准关系（x、y 和角度 $\theta$）[A1]。