若使用先进的氮氧化物电介质层,等离子体暴露所产生的高密度悬挂键会在退火过程中进行化学键重排,从而建立起高度稳定的共价过渡层 [A1]。
键合后退火步骤是 CMOS 图像传感器 (CIS) 和图像信号处理器 (ISP) 晶圆在室温热压键合后,实现机械与电气稳定化的关键阶段 [A3]。在初始接触阶段,混合键合界面主要依赖于微弱的范德华力和氢键 [P4]。由于后续工艺流程需要进行剧烈的本体硅机械去除(如背面研磨),因此必须显著增强键合界面,以防止宏观分层 [P4, A3]。
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