40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

CIS/ISP晶圆键合配对依赖于直接键合互连（DBI）技术，该技术要求表面极其平坦且具有高反应活性，以便在低温下实现稳健的Cu-Cu和电介质-电介质混合键合 [P2]。在CMP后清洗之后，必须对平坦化的CIS晶圆表面进行物理和化学处理，以确保在接触时能够与ISP晶圆自发产生粘附 [P4]。射频（RF）表面活化步骤正是为此目的，它通过将钝化、稳定的电介质和铜表面转化为高能、活性的状态来实现这一目标 [P4]。