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在完成 Metal 3 Cu 电镀沉积后，晶圆表面覆盖着一层厚厚的过量铜（overburden），必须将其去除以在物理上隔离各个互连线路 [P1]。此 Cu CMP 步骤是双步平坦化序列的第一阶段，其目标是快速去除块状铜，并特意在下方的 Ta 基衬层处停止 [A2]。它与较早的底层 Cu CMP 步骤（如步骤 #222）不同，因为 Metal 3 通常作为更高层的布线层，具有更大的线宽和不同的图案密度，这使其更容易受到布局相关几何变化的影响 [P1]。