Ashing & Strip/Clean（MET3）

传统的高温氧等离子体会通过剥离 SiOCH low-k 介质中的甲基来诱发严重的等离子体诱导损伤（PID），使薄膜致密化并大幅提高其介电常数 [P1]。

在 ILD 2-2 氧化物刻蚀之后，晶圆表面和沟槽侧壁会覆盖硬化的光刻胶和高度交联的氟碳（CFx）聚合物残留物 [P1]。此灰化与剥离/清洗步骤对于在随后的 Ta 基衬里沉积之前去除这些污染物至关重要 [A3]。如果清洗不彻底，这些残留物会阻碍阻挡层的共形沉积和附着，导致高接触电阻并引发后续工艺集成失败 [P1]。