Cu Seed deposition（MET3） - 40nm 工艺步骤

沉积的种子层必须足够厚，以防止晶圆表面产生过大的终端效应电压降，同时又必须足够薄，以避免在互连通孔顶部发生夹断 [P1]。

在 MET3 双大马士革结构中，Cu 种子层沉积步骤起到了连接高电阻率 Ta 基阻挡层与 Cu 大块电化学沉积 (ECD) 的桥梁作用 [P3]。在 Ta 基衬层沉积完成后，介质沟槽和通孔已能有效防止金属扩散，但缺乏均匀电镀所必需的高导电表面 [P3]。此 Cu 种子层步骤为后续的 M3 ECD 工艺建立了所需的连续等电位表面 [P3]。