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ILD 3-2 沉积步骤在 ILD 3-1 基础层之后，用于形成 Metal 3 / Via 3 (M3/V3) 互连层级的上部层间介质层 [A1]。在先进的后段工艺 (BEOL) 互连集成中，介质堆叠通常被划分为用作通孔介质的第一介质层 (ILD 3-1) 和随后沉积的用作沟槽介质的第二介质层 (ILD 3-2) [A2]。这种双层方案允许后续的 Via 3 和 Metal 3 沟槽进行独立的深度控制图案化，这通常借助于中间的刻蚀停止层来实现 [A2]。