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ILD3 模块中的光刻前清洗步骤处于 ILD 3-2 介电层沉积与 Via 3 (V3) 光刻图案化步骤之间的关键位置 （工程实践）。与必须去除重金属污染的 CMP 后清洗步骤，或针对高交联氟碳聚合物残留的刻蚀后清洗步骤 [P4] 不同，这种特定的光刻前清洗针对的是新沉积的介电层表面 （工程实践）。其主要目标是在不改变底层 ILD 3-2 氧化层厚度或化学成分的情况下，去除外来空气分子污染物 (AMC)、有机痕量残留物和纳米级颗粒 [P2]。