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位于 Metal 3 CMP 及清洗工艺之后，ILD 3-1 作为后续 Via 3 形成的关键铜覆盖层、扩散阻挡层 (DB) 和刻蚀停止层 (ES) [P3]。如果没有该覆盖层，新暴露出的 Cu 会迅速扩散到随后的主体电介质 (ILD 3-2) 中并发生氧化，导致严重的可靠性失效，例如漏电流增加和电迁移 [P1]。该步骤利用化学性质稳定的非晶态硅基薄膜（如 a-SiNC:H 或 a-SiC:H）在物理上密封 Cu/电介质界面，从而阻止水分和氧气进入 Cu 互连线 [P3]。