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在先前的 Cu CMP 步骤完成大面积 Cu 去除后，BEOL 平坦化工艺转入阻挡层 CMP 阶段，以清除基于 Ta 的衬层 [P2]。此步骤的主要目标是彻底去除场区介质上的导电 Ta/TaN 阻挡层，从而确保相邻 MET3 互连线之间的严格电气隔离 [A3]。如果场区残留阻挡层材料，会产生非预期的导电路径，导致线间短路，从而严重降低良率 [P1]。