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Metal 3 (M3) Cu沉积填充了在层间介质（inter-metal dielectric）中图案化形成的双大马士革沟槽与通孔，构成了纳米尺度后段工艺（BEOL）流程中的中间布线层 [A1]。在沉积Ta基衬层和Cu籽晶层之后，利用电化学沉积（ECD）工艺实现无空洞的本体铜填充 [P3]。与作为局部互连且电阻率较高的Metal 0 W不同，Cu提供了降低中间布线层电阻-电容（RC）延迟所需的低电阻率通路 [A2]。