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在先进的后段工艺（BEOL）互连流程中，转向铜金属化对于最大限度地减少在亚四分之一微米节点及更小工艺节点限制器件速度的电阻-电容（RC）延迟至关重要 [P1]。然而，铜在硅和低κ电介质中表现出极快的高加速扩散特性，这会形成深能级陷阱并导致器件性能严重退化 [P1]。因此，此基于Ta的衬垫沉积步骤在MET3电介质沟槽刻蚀和清洗工艺后立即执行，以完全密封暴露的氧化物表面 [P3]。该步骤位于铜晶种层沉积之前，对于形成可靠且薄的包覆层至关重要，该包覆层可防止Cu迁移到ILD中 [P1]。