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STI填充衬垫回刻（Liner Etchback）步骤通过重塑先前沉积的介电层几何形状，在先进器件集成中发挥着关键作用 [P1]。在此步骤之前，会在沟槽上方沉积一层共形CVD氧化物衬垫，这往往会使沟槽开口变窄，并产生近乎垂直或内凹的侧壁轮廓 [P4]。回刻工艺选择性地去除部分共形衬垫，以加宽沟槽顶部开口，从而将侧壁斜率修改得更具锥度 [P1]。这种结构上的改进对于防止后续本体CVD氧化物间隙填充步骤中出现过早的夹止（pinch-off）和空洞形成至关重要 [P4]。