40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

集成流程中的前序步骤去除了深槽隔离（Deep Trench Isolation, DTI）氧化物和氮化物硬掩模，使有源区中的硅衬底暴露出来 [P2]。在过渡到浅槽隔离（Shallow Trench Isolation, STI）模块之前（该模块始于沉积氮化硅（SiN）和氧化硅（SiO）硬掩模堆叠层），硅表面必须绝对纯净 [P2]。任何残留的污染物（如金属杂质、有机残留物或由先前湿法刻蚀步骤留下的非受控原生氧化物）都可能降低后续硬掩模界面的质量并引入缺陷 [T1]。