40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

在 40nm BSI CMOS 图像传感器工艺流程中，背面衬底接触（SBST_CONT）对于为减薄后的硅衬底提供稳定的电偏置至关重要，它决定了耗尽区并防止像素溢出（pixel blooming）[A2]。在光刻胶图形化和初始的 BPMD/AR2 刻蚀之后，HKD/AR1 刻蚀步骤负责击穿剩余的高 k 电介质（HKD）和抗反射（AR1）钝化层，为后续工艺做好底层结构准备 [A1]。