LS Backside Contact Ion Implantation

引入杂质的浓度由注入剂量决定，从根本上打破了本征电子-空穴平衡，并显著提高了表面附近的自由载流子浓度 [T1]。

遮光层 (LS) 背面接触离子注入 (IIP) 步骤位于背面硅刻蚀之后，遮光栅格和阻挡金属沉积之前 [A1]。在 BSI CMOS 图像传感器中，形成可靠的背面衬底电连接对于建立稳定的参考电位和减轻电气串扰至关重要 （工程实践）。离子注入工艺将精确控制的掺杂剂引入暴露的硅中，通过改变局部费米能级使材料转变为重掺杂的外在态 [T1]。这种重表面掺杂有助于在随后的遮光阻挡金属沉积时形成低电阻欧姆接触 [T2]。