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接触（Contact）模块中的灰化（Ashing）与剥离/清洗（Strip/Clean）步骤是一项关键的表面预处理操作，它紧随光屏蔽（LS）背侧接触离子注入（IIP）之后执行，并直接位于LS/孔径栅阻挡层沉积之前*（工程实践）。在上游IIP步骤中，使用光刻胶掩模来定义注入区域，使高能掺杂离子穿透背侧硅材料 [A3]。高能离子轰击导致光刻胶聚合物链发生剧烈交联，形成一层硬化的、富含碳的结壳，无法通过简单的溶剂溶解去除（工程实践）*。