40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

在完成背面钝化层（BPMD SiO）沉积和光刻前清洗后，背面衬底接触（Backside Substrate Contact）光刻步骤定义了将BSI图像传感器的硅衬底接地所需的局部开口 [A2]。该步骤与前侧接触图案化（如Metal 0/1源/漏极接触）不同，因为它是在芯片背面进行操作，定义的路径最终将填充金属，以形成穿过厚介质堆叠的深通孔 [A2]。