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在沉积 Ta 基扩散阻挡层和物理气相沉积（PVD）Cu 种子层之后，需要进行 Metal 4 (M4) Cu 沉积步骤，以完全填充双大马士革（dual-damascene）沟槽和通孔结构 [P1]。该步骤依赖电化学电镀（ECP）形成互连的主要导电主体，为降低深亚微米器件中的 RC 时间常数提供关键的低电阻路径 [A1]。