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在 Cu CMP 完成后，顶层表面由暴露的 Cu 线和之前的低 k 介质组成 [P2]。暴露的 Cu 极易氧化并迅速扩散到硅和相邻的介质中，形成深能级陷阱，从而导致器件性能下降并引发故障 [P3]。因此，ILD 4-1 主要起到介质扩散阻挡层（DB）和铜覆盖层（CCL）的作用，以密封暴露的 Metal 4 层 [P2]。此外，该层还可作为后续 Via 4 图案化工艺的刻蚀停止层（ES），定义 Metal 4 和 Via 4 区域之间的边界 [P2]。