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在 Cu CMP 之后，大部分 Cu 覆盖层被去除，使场区电介质上的 Ta 基衬层暴露出来 [P1]。Ta 基衬层 CMP 步骤（通常称为阻挡层 CMP）是去除剩余衬层并抛光整个互连堆叠所必需的 [P1]。该工艺通过清除场区电介质上的导电材料，使 MET4 铜线实现电气隔离，从而防止相邻线路之间发生短路 [A1]。它为后续的 CMP 后清洗和 ILD 4-1 沉积制备了一个全局平坦化的表面，该表面包含沟槽中的 Cu、侧壁衬层和电介质材料 [P1]。