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在 ILD 3-2 氧化物刻蚀之后，必须执行此去胶（Ashing）与剥离/清洗步骤，以完全去除新定义的双大马士革（dual-damascene）MET4 沟槽中残留的大量光刻胶硬掩模和碳氟聚合物残留物 [A2]。与早期的前段工艺或低层金属清洗不同，这一特定的 MET4 步骤具有独特的挑战性，因为周围的层间介电材料（ILD）由高孔隙率的 low-k 材料组成，这些材料对等离子体和化学损伤极其敏感 [P2]。