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Cu种子层沉积步骤是必不可少的，因为下层的Ta基衬垫电阻率很高，无法为后续的电化学铜沉积（ECD）工艺提供足够的成核表面 [P1]。Cu种子层的主要功能是建立一条高导电性的连续通路，以确保电镀过程中晶圆上的电荷分布均匀 [P4]。如果没有完全连续的种子层，电镀Cu会形成孤立的颗粒状形态，而非平整、无空洞的薄膜 [P4]。该步骤位于Ta基衬垫沉积之后、M4块体Cu ECD之前，对于确保MET4双大马士革结构实现无缝填孔至关重要 [P2]。